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广大(GD sicsemi)

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惠州市广大碳基半导体有限公司成立于 2022 年 4 月，位于惠州市仲恺高新区。致力于研发、生产和销售第三代功率半导体碳化硅（SiC）半导体器件，于各类电力电子、智能电网, 开关电源等领域已获取初步市场份额, 并通过与国内外多家领先企业和科研机构合作，推动专利技术创新并加速产品的商业化，进一步提升战略定位。作为一家新兴企业，广大碳基半导体已经成功量产全系列碳化硅肖特基二极管与场效应晶体管MOSFET! 2025是广大碳基腾起年, 公司运用PVD NMC专利散热与电磁阻绝技术并关联出2专利,可以用极低成本大幅提升产品可靠性与EMI电磁干扰问题, 以及特大功率器件的高效绝缘工序, 乃至3D立体先进封装专利, 蓄积下一个三年腾起的跳跃能量!!

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